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IXST35N120B
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXST35N120B
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
IGBT 1200V 70A 300W TO268
原厂封装:
封装:TO-268-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-268AA
优势价格,IXST35N120B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXST35N120B的技术资料下载
IXST35N120B的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
制造商产品型号:IXST35N120B
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT 1200V 70A 300W TO268
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:PT
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):70A
电流-集电极脉冲(Icm):140A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,35A
功率-最大值:300W
开关能量:5mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:120nC
25°C时Td(开/关)值:36ns/160ns
测试条件:960V,35A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-268-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-268AA
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