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IXTH1R4N250P3
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXTH1R4N250P3
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
DISCRETE MOSFET 1.4A 2500V P3 TO
原厂封装:
封装:TO-247(IXTH)
优势价格,IXTH1R4N250P3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTH1R4N250P3的技术资料下载
IXTH1R4N250P3的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
型号:IXTH1R4N250P3
品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
封装:TO-247(IXTH)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:DISCRETE MOSFET 1.4A 2500V P3 TO
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):2500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):960 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):195W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247(IXTH)
封装/外壳:TO-247-3
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