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IXTP08N100D2
的报价和技术资料 - IXYS公司授权中国代理商 |
IXTP08N100D2
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
IXYS(Littelfuse力特)
功能简述:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
原厂封装:
封装:TO-220-3
优势价格,IXTP08N100D2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IXTP08N100D2的技术资料下载
IXTP08N100D2的功能参数资料 - IXYS公司(Littelfuse力特)提供
型号:IXTP08N100D2
品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
封装:TO-220-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 沟道,耗尽型
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):21 欧姆 @ 400mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):14.6 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):325 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):60W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220-3
封装/外壳:TO-220-3
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