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    MIEB100W1200TEH

    IXYS图标
    晶体管 - IGBT - 模块
    制造厂商：IXYS
    功能简述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
    原厂封装：E3
    优势价格，MIEB100W1200TEH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    MIEB100W1200TEH的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • 制造商产品型号：MIEB100W1200TEH
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 配置：三相反相器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：183A
  • 功率-最大值：630W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，100A
  • 电流-集电极截止（最大值）：300μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：7.43nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：是
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：E3
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