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MKI100-12F8
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MKI100-12F8技术资料
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MKI100-12F8
IGBT模块
制造厂商:
IXYS
功能简述:
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
原厂封装:
E3
优势价格,MKI100-12F8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MKI100-12F8的技术资料下载
MKI100-12F8的功能参数资料 - IXYS公司提供
IXYS公司产品完整型号:MKI100-12F8
制造厂家名称:IXYS
描述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
系列:-
IGBT 类型:NPT
配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):125A
功率 - 最大值:640W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1.3mA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies):6.5nF @ 25V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
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MKI100-12E8
I
IXTN5N250
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二极管,整流器阵列
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