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MWI50-12E6K
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MWI50-12E6K技术资料
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MWI50-12E6K
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
IXYS
功能简述:
IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1
原厂封装:
E1
优势价格,MWI50-12E6K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MWI50-12E6K的技术资料下载
MWI50-12E6K的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
制造商产品型号:MWI50-12E6K
制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
描述:IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:-
配置:三相反相器
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):51A
功率-最大值:210W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,35A
电流-集电极截止(最大值):300A
不同Vce时输入电容(Cies):2nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:E1
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