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IXYS
VMO580-02F的图片

VMO580-02F

IXYS图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:IXYS
功能简述:MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
原厂封装:Y3-Li
优势价格,VMO580-02F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VMO580-02F的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • 制造商产品型号:VMO580-02F
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HiPerFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):580A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.8 毫欧 @ 430A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 50mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2750nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 器件封装:Y3-Li
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