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    VWM200-01P的图片

    VWM200-01P

    IXYS图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：IXYS
    功能简述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
    原厂封装：V2-PAK
    优势价格，VWM200-01P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    VWM200-01P的技术资料下载
    电话询问价格
    VWM200-01P的功能参数资料 - IXYS公司(IXYS)提供
  • 制造商产品型号：VWM200-01P
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：6 N-沟道（3 相桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：210A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：430nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：-
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：V2-PAK
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